![IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/28/17/38/58/420638/smn_/manual/ipb65r125c7atma2.jpg)
IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 72.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7534TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFS7534TRLPBF за ціною від 81.99 грн до 214.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFS7534TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7534TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7534TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7534TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7534TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7534TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7534TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7534TRLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7534TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7534TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V |
на замовлення 1843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7534TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFS7534TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFS7534TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; D2PAK; StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Power dissipation: 294W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 186nC Kind of channel: enhanced Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFS7534TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; D2PAK; StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Power dissipation: 294W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 186nC Kind of channel: enhanced Trade name: StrongIRFET |
товар відсутній |