IRFS7440TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 41.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7440TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7440TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFS7440TRLPBF за ціною від 52.86 грн до 141.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 40V 120A 2.5mOhm 90nC StrongIRFET |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V |
на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7440TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 208W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 208W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFS7440TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 208W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 208W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |