IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 96.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFS4227TRLPBF за ціною від 112.22 грн до 357.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS4227TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V |
на замовлення 5081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg |
на замовлення 10496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4227TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS4227TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 62A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFS4227TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFS4227TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 62A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |