IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 104.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0103 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFS4115TRLPBF за ціною від 130.73 грн до 364.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V |
на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS4115TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0103 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V |
на замовлення 17271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg |
на замовлення 4490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4115TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0103 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 70A Pulsed drain current: 396A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 70A Pulsed drain current: 396A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |