![IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DTRLP](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/27d25a6e6ee2fafbbde27e6eec6fb7ffa4c8f4df/d2-pakbw.jpg)
IRFS38N20DTRLP Infineon Technologies
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 61.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS38N20DTRLP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFS38N20DTRLP за ціною від 57.16 грн до 254.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 1831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : INFINEON |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 44A Power dissipation: 320W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 44A Power dissipation: 320W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |