Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3307ZTRLPBF
IRFS3307ZTRLPBF

IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies

irfs3307zpbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFS3307ZTRLPBF за ціною від 65.78 грн до 215.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+72.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+78.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
126+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 126
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+101.94 грн
1600+ 101.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
115+105.47 грн
128+ 94.53 грн
135+ 89.91 грн
200+ 86.01 грн
500+ 74.98 грн
1600+ 68.63 грн
3200+ 65.78 грн
Мінімальне замовлення: 115
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+113.3 грн
10+ 106.18 грн
25+ 103.26 грн
100+ 94.79 грн
250+ 87.7 грн
500+ 76.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : INFINEON 1485745.pdf Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+121.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 74400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+124.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+124.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563691d7216c Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+130.06 грн
1600+ 107.24 грн
2400+ 100.98 грн
5600+ 90.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3307Z_DataSheet_v01_01_EN-3363248.pdf MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg
на замовлення 3697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.56 грн
10+ 147.11 грн
100+ 109.65 грн
250+ 108.94 грн
500+ 104.73 грн
800+ 97.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : INFINEON 1485745.pdf Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+186.87 грн
10+ 141.13 грн
100+ 121.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563691d7216c Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
на замовлення 37828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.17 грн
10+ 174.18 грн
100+ 140.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFS3307ZTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFS3307ZTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній