Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3006TRLPBF
IRFS3006TRLPBF

IRFS3006TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
139+87.17 грн
146+ 83.27 грн
250+ 79.93 грн
500+ 74.29 грн
Мінімальне замовлення: 139
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS3006TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFS3006TRLPBF за ціною від 90.25 грн до 352.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+90.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+144.61 грн
2400+ 134.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+151.28 грн
Мінімальне замовлення: 80
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+156.72 грн
2400+ 145.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+167.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+183.19 грн
1600+ 151.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
65+186.93 грн
73+ 166.39 грн
100+ 160.23 грн
200+ 153.52 грн
500+ 132.97 грн
Мінімальне замовлення: 65
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+205.61 грн
500+ 148.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
56+216.49 грн
66+ 185.28 грн
100+ 184.27 грн
200+ 171.86 грн
500+ 147.45 грн
Мінімальне замовлення: 56
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+234.13 грн
10+ 210.12 грн
25+ 205.26 грн
100+ 174.63 грн
250+ 155.01 грн
500+ 120.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+240.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
42+288.99 грн
48+ 253.75 грн
60+ 201.39 грн
100+ 193.23 грн
200+ 170.82 грн
500+ 146.73 грн
Мінімальне замовлення: 42
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+303.81 грн
10+ 245.3 грн
100+ 198.46 грн
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3006_DataSheet_v01_01_EN-3363375.pdf MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+328.48 грн
10+ 272.49 грн
25+ 230.68 грн
100+ 192.35 грн
250+ 182.59 грн
500+ 173.53 грн
800+ 142.87 грн
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+352.59 грн
10+ 259.56 грн
100+ 205.61 грн
500+ 148.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRFS3006TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFS3006TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній