на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS11N50APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFS11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRFS11N50APBF за ціною від 69.02 грн до 199.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS11N50APBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS11N50APBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS11N50APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFS11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 7988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS11N50APBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 203 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS11N50APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS11N50APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |