Продукція > VISHAY > IRFRC20PBF
IRFRC20PBF

IRFRC20PBF Vishay


sihfrc20.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 19
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFRC20PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRFRC20PBF за ціною від 26.36 грн до 90.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
239+50.61 грн
316+ 38.24 грн
Мінімальне замовлення: 239
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+53.43 грн
13+ 47 грн
100+ 35.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : VISHAY IRFRC20PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK; TO252
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+57.71 грн
11+ 34.91 грн
25+ 31.07 грн
30+ 28.24 грн
75+ 27.88 грн
83+ 26.79 грн
300+ 26.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : VISHAY IRFRC20PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.25 грн
7+ 43.5 грн
25+ 37.28 грн
30+ 33.89 грн
75+ 33.46 грн
83+ 32.15 грн
300+ 31.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET D-PAK
на замовлення 6709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+80.7 грн
10+ 65.32 грн
100+ 44.22 грн
500+ 37.47 грн
1000+ 30.52 грн
3000+ 28.71 грн
6000+ 27.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.73 грн
75+ 66.21 грн
150+ 52.47 грн
525+ 41.74 грн
1050+ 34 грн
2025+ 32.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+90.47 грн
12+ 70.11 грн
100+ 50.61 грн
500+ 39.83 грн
1000+ 28.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFRC20PBF IRFRC20PBF
Код товару: 110642
sihfrc20.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній