![IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2021/2/10/11/33/44/660564/vsh_/manual/sihd5n80ae.jpg)
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 21.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9310TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRFR9310TRPBF за ціною від 26.44 грн до 112.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 |
на замовлення 2313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 4103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2313 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 4103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 30657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 10724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|