![IRFR9214PBF IRFR9214PBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2021/2/10/11/33/44/660564/vsh_/manual/sihd5n80ae.jpg)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 21.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9214PBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR9214PBF за ціною від 39.02 грн до 107.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR9214PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9214PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9214PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9214PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9214PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V |
на замовлення 923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9214PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9214PBF Код товару: 56884 |
Виробник : Vishay |
![]() Корпус: D-Pak Uds,V: 250 V Id,A: 2,7 A Rds(on),Om: 3,0 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 220/14 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFR9214PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFR9214PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -1.7A; 50W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -1.7A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFR9214PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -1.7A; 50W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -1.7A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |