![IRFR9210PBF IRFR9210PBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2021/2/10/11/33/44/660564/vsh_/manual/sihd5n80ae.jpg)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 16.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9210PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR9210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.9 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IRFR9210PBF за ціною від 12.76 грн до 92.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR9210PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9210PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9210PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 3261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9210PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9210PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRFR9210PBF | Виробник : Vishay/IR |
![]() |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFR9210PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFR9210PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFR9210PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.2A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1.2A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFR9210PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.2A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1.2A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |