Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR9024NTRLPBF
IRFR9024NTRLPBF

IRFR9024NTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfr9024n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9024NTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFR9024NTRLPBF за ціною від 12.87 грн до 67.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+23.62 грн
6000+ 22.3 грн
9000+ 21.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+25.48 грн
6000+ 23.37 грн
9000+ 22.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+28.84 грн
1000+ 24.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+30.75 грн
1000+ 26.4 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
352+34.25 грн
367+ 32.88 грн
500+ 31.69 грн
1000+ 29.56 грн
Мінімальне замовлення: 352
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+41.16 грн
500+ 26.36 грн
1500+ 23.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+56.69 грн
50+ 48.96 грн
100+ 41.16 грн
500+ 26.36 грн
1500+ 23.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 25762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.58 грн
10+ 48.47 грн
100+ 37.75 грн
500+ 30.02 грн
1000+ 24.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR9024N_DataSheet_v01_01_EN-3363169.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V 11A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.08 грн
10+ 53.19 грн
100+ 36.69 грн
500+ 31.07 грн
1000+ 25.3 грн
3000+ 23.83 грн
6000+ 22.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR9024NTRLPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 38; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
на замовлення 536 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+15.76 грн
43+ 14.7 грн
100+ 13.65 грн
Мінімальне замовлення: 40
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024npbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024npbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній