Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR8314TRPBF
IRFR8314TRPBF

IRFR8314TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr8314-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR8314TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFR8314TRPBF за ціною від 36.75 грн до 135.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr8314-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635e2e2212c Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4945 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr8314-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFR8314TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Kind of package: reel
Gate charge: 36nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+52.99 грн
19+ 46.46 грн
51+ 43.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr8314-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
210+57.73 грн
212+ 57.15 грн
227+ 53.32 грн
Мінімальне замовлення: 210
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr8314-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+60.64 грн
12+ 53.61 грн
25+ 53.07 грн
100+ 47.74 грн
250+ 36.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr8314-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
185+65.65 грн
186+ 65.05 грн
199+ 60.82 грн
211+ 55.35 грн
500+ 47.38 грн
1000+ 45.32 грн
2000+ 45.14 грн
Мінімальне замовлення: 185
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+73.41 грн
500+ 56.62 грн
1000+ 40.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFR8314TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Kind of package: reel
Gate charge: 36nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.93 грн
5+ 66.04 грн
19+ 55.75 грн
51+ 52.27 грн
500+ 50.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR8314_DataSheet_v01_01_EN-3363261.pdf MOSFET 30V 179A 2.2 mOhm 36 nC Qg
на замовлення 3404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.5 грн
10+ 72.77 грн
100+ 54.15 грн
500+ 44.6 грн
1000+ 41.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635e2e2212c Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4945 pF @ 15 V
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.08 грн
10+ 89.58 грн
100+ 69.69 грн
500+ 55.44 грн
1000+ 45.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+135.25 грн
10+ 96.16 грн
100+ 73.41 грн
500+ 56.62 грн
1000+ 40.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR8314TRPBF
Код товару: 198287 		irfr8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635e2e2212c Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr8314-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній