![IRFR812TRPBF IRFR812TRPBF](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_252_AA_3_ITP_t.jpg)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.37 грн |
10+ | 87.85 грн |
100+ | 59.49 грн |
500+ | 49.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR812TRPBF Infineon / IR
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; Idm: 14.4A; 78W; DPAK, Case: DPAK, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 2.3A, On-state resistance: 2.2Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 78W, Polarisation: unipolar, Technology: HEXFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 14.4A, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції IRFR812TRPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRFR812TRPBF Код товару: 111396 |
![]() |
товар відсутній
|
|||
IRFR812TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; Idm: 14.4A; 78W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.3A On-state resistance: 2.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 14.4A кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
IRFR812TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRFR812TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
IRFR812TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; Idm: 14.4A; 78W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.3A On-state resistance: 2.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 14.4A |
товар відсутній |