![IRFR7446TRPBF IRFR7446TRPBF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/6d25836c6b59471c2ce5d657269e9f0af9f3f487/dpak.jpg)
IRFR7446TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 20.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR7446TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 98W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFR7446TRPBF за ціною від 21.71 грн до 85.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 172000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7446TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7446TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 26716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V |
на замовлення 9971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFR7446TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 98W; DPAK Power dissipation: 98W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 56A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFR7446TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 98W; DPAK Power dissipation: 98W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 56A Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |