![IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/31/885181/smn_/manual/dpak.jpg_472149771.jpg)
IRFR5505TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 18.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR5505TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFR5505TRPBF за ціною від 20.35 грн до 90.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR5505TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR5505TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR5505TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR5505TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR5505TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -18A Power dissipation: 57W Case: DPAK On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR5505TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR5505TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR5505TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -18A Power dissipation: 57W Case: DPAK On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 414 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR5505TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
на замовлення 145143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR5505TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR5505TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 85005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
IRFR5505TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 470 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR5505TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR5505TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR5505TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |