Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRFR5410TRPBF

IRFR5410TRPBF

irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
Код товару: 185744
Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

у наявності 4 шт:
4 шт - склад
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5410TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • C

Інші пропозиції IRFR5410TRPBF за ціною від 20.64 грн до 123 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+40.73 грн
6000+ 37.36 грн
10000+ 35.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+68.12 грн
500+ 53.59 грн
1000+ 36.36 грн
5000+ 35.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
149+81.16 грн
155+ 77.95 грн
169+ 71.42 грн
200+ 66.84 грн
500+ 59.47 грн
1000+ 41.67 грн
2000+ 40.81 грн
4000+ 39.87 грн
Мінімальне замовлення: 149
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
136+89.02 грн
139+ 87 грн
176+ 68.52 грн
250+ 65.4 грн
500+ 51.71 грн
1000+ 36.3 грн
Мінімальне замовлення: 136
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr5410pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+89.88 грн
10+ 69.41 грн
25+ 63.4 грн
30+ 28.7 грн
82+ 27.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 21635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.84 грн
10+ 77.61 грн
100+ 60.34 грн
500+ 48 грн
1000+ 39.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+102.48 грн
10+ 82.66 грн
25+ 80.78 грн
100+ 61.36 грн
250+ 56.23 грн
500+ 46.1 грн
1000+ 33.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR5410_DataSheet_v01_01_EN-3363345.pdf MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
на замовлення 18978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+107.42 грн
10+ 85.68 грн
100+ 58.2 грн
500+ 48.43 грн
1000+ 39.5 грн
2000+ 38.02 грн
4000+ 36.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr5410pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.86 грн
10+ 86.49 грн
25+ 76.08 грн
30+ 34.44 грн
82+ 32.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+123 грн
10+ 90.67 грн
100+ 68.12 грн
500+ 53.59 грн
1000+ 36.36 грн
5000+ 35.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR5410TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 13 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 760; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 66; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
на замовлення 693 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+23.82 грн
29+ 22.23 грн
100+ 20.64 грн
Мінімальне замовлення: 27
IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.8 грн
10+ 95.94 грн
100+ 66.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній

З цим товаром купують

KX-KT 8.0 MHz (кварцовий резонатор)
Код товару: 33015		 Model-KX-K.pdf?langSel=2
KX-KT 8.0 MHz (кварцовий резонатор)
Виробник: Geyer
Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори
Частота, Hz: 8 MHz
Корпус: HC-49/S-SMD (QSMD12.3x4.5x4.2)
Тип: Резонатор кварцовий
Навантажувальна ємність: 16 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: SMD
у наявності: 132 шт
69 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується
Кількість Ціна без ПДВ
2+16 грн
10+ 14.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
4,7uF 16V size-A 10% (TAJA475K016RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD)
Код товару: 14106		 AVX tantalum cap_datasheet.pdf
4,7uF 16V size-A 10% (TAJA475K016RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD)
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 16 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-A
у наявності: 758 шт
518 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
40 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Одеса
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
4+5.5 грн
10+ 5 грн
100+ 4.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
BAT54S
Код товару: 4313		 BAT54S.pdf
BAT54S
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOT-23
Зворотня напруга, Vrrm: 30 V
Прямий струм (per leg), If: 0,4 A
Падіння напруги, Vf: 0,4 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, послідовне включення, струм 0,2 А на діод.
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 0,6 A
у наявності: 7902 шт
7165 шт - склад
94 шт - РАДІОМАГ-Київ
176 шт - РАДІОМАГ-Харків
452 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 300 шт
300 шт - очікується
Кількість Ціна без ПДВ
14+1.5 грн
23+ 0.9 грн
100+ 0.7 грн
1000+ 0.5 грн
Мінімальне замовлення: 14
33pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N330J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 3917		 NPO.pdf
33pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N330J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 33 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0603
у наявності: 1014 шт
186 шт - РАДІОМАГ-Львів
290 шт - РАДІОМАГ-Одеса
538 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 4000 шт
4000 шт - очікується
Кількість Ціна без ПДВ
40+0.5 грн
100+ 0.35 грн
1000+ 0.3 грн
Мінімальне замовлення: 40
620 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-620R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2150		 rc_series_20150401_1.pdf
620 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-620R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 620 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 6730 шт
4409 шт - склад
510 шт - РАДІОМАГ-Київ
891 шт - РАДІОМАГ-Львів
720 шт - РАДІОМАГ-Харків
200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20000 шт
20000 шт - очікується 20.10.2024
Кількість Ціна без ПДВ
100+0.2 грн
1000+ 0.15 грн
10000+ 0.12 грн
Мінімальне замовлення: 100