IRFR5305TR Infineon
Код товару: 185048
Виробник: InfineonКорпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності 58 шт:
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 40 грн |
10+ | 35.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFR5305TR за ціною від 17.74 грн до 108.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 616 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 11761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC |
на замовлення 24862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 83840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TR | Виробник : JGSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А; 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; DPAK |
на замовлення 321 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 4136 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TR | Виробник : Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 5828 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF Код товару: 4177 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: D-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 25 A Rds(on),Om: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
З цим товаром купують
IRLML6402TRPBF Код товару: 27968 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 8940 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 9 грн |
10+ | 8 грн |
100+ | 7.2 грн |
1000+ | 6.5 грн |
B340A-13-F Код товару: 28101 |
Виробник: DIODES
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 3 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 80 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 3 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 80 A
у наявності: 1499 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 3.5 грн |
17+ | 3 грн |
100+ | 2.9 грн |
1000+ | 2.7 грн |
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1768 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 58282 шт
очікується:
100000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.07 грн |
470pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N471J1HL2-L-Hitano) Код товару: 2902 |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N471J1HL-2L
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N471J1HL-2L
у наявності: 858 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 2.8 грн |
100+ | 2.4 грн |
150 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-150R-Hitano) (S) Код товару: 13740 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 150 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 150 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 7598 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
80+ | 0.7 грн |
100+ | 0.55 грн |
1000+ | 0.4 грн |