Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR5305TRLPBF
IRFR5305TRLPBF

IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+19.6 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRFR5305TRLPBF за ціною від 19.6 грн до 78.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+32.13 грн
24000+ 31.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+32.65 грн
3000+ 31.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.39 грн
24000+ 34.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 6347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+43.68 грн
500+ 34.12 грн
1000+ 30.89 грн
5000+ 30.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+63.61 грн
12+ 53.09 грн
25+ 35.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 21820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.63 грн
10+ 50.59 грн
100+ 39.37 грн
500+ 31.31 грн
1000+ 30.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
184+65.69 грн
272+ 44.4 грн
273+ 44.3 грн
1000+ 41.84 грн
3000+ 38.48 грн
6000+ 33.92 грн
Мінімальне замовлення: 184
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR5305_DataSheet_v01_01_EN-3363412.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 18036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.19 грн
10+ 56.42 грн
100+ 38.02 грн
500+ 33.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 6347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+78.85 грн
13+ 61.42 грн
100+ 43.68 грн
500+ 34.12 грн
1000+ 30.89 грн
5000+ 30.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній