IRFR48ZTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 38.82 грн |
| 4000+ | 37.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR48ZTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V, Power Dissipation (Max): 91W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR48ZTRPBF за ціною від 34.5 грн до 127.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR48ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR48ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR48ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 62A 11mOhm 40nC Qg |
на замовлення 5959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR48ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V |
на замовлення 5515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR48ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 11898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR48ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFR48ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFR48ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 44A; Idm: 250A; 91W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 44A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 91W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 44A; Idm: 250A; 91W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 44A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 91W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |