Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR4510TRPBF
IRFR4510TRPBF

IRFR4510TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr4510-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+35.23 грн
4000+ 34.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR4510TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR4510TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFR4510TRPBF за ціною від 37.45 грн до 143.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+37.82 грн
4000+ 37.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+38.7 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+57.4 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 Description: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+58.2 грн
6000+ 53.94 грн
10000+ 52.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+61.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+66.6 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+66.6 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
169+71.69 грн
Мінімальне замовлення: 169
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
158+76.69 грн
Мінімальне замовлення: 158
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+79.13 грн
10+ 73.1 грн
25+ 72.38 грн
100+ 64.17 грн
250+ 57.62 грн
500+ 49.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
142+85.22 грн
154+ 78.73 грн
156+ 77.95 грн
169+ 69.1 грн
250+ 62.06 грн
500+ 53.52 грн
Мінімальне замовлення: 142
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR4510_DataSheet_v01_01_EN-3363282.pdf MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.21 грн
10+ 104.19 грн
100+ 74.57 грн
250+ 73.18 грн
500+ 63.35 грн
1000+ 53.94 грн
2000+ 51.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 Description: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
на замовлення 30196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.67 грн
10+ 103.23 грн
100+ 82.17 грн
500+ 65.25 грн
1000+ 55.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838862-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4510TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+143.85 грн
10+ 109.45 грн
100+ 83.65 грн
500+ 66.86 грн
1000+ 55.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR4510TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 252A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR4510TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 252A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній