Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > IRFR4105ZPBF
IRFR4105ZPBF

IRFR4105ZPBF ROCHESTER ELECTRONICS

IRSDS11267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR4105ZPBF - IRFR4105 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR4105ZPBF ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFR4105ZPBF за ціною від 21.8 грн до 24.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR4105ZPBF IRFR4105ZPBF
Код товару: 177671 		Виробник : Infineon irfr4105zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356321faf20ee Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 21 A
Rds(on), Ohm: 24,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/18
Монтаж: SMD
товар відсутній
Кількість Ціна без ПДВ
1+24.5 грн
10+ 21.8 грн
IRFR4105ZPBF IRFR4105ZPBF Виробник : Infineon Technologies irfr4105zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356321faf20ee Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRFR4105ZPBF IRFR4105ZPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR4105Z_DataSheet_v01_01_EN-3363219.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms 18nC
товар відсутній
IRFR4105ZPBF IRFR4105ZPBF Виробник : Infineon (IRF) irfr4105z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній