Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR4104TRPBF
IRFR4104TRPBF

IRFR4104TRPBF Infineon Technologies

irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR4104TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRFR4104TRPBF за ціною від 34.67 грн до 107.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+47.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+48.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+55.6 грн
12+ 52.27 грн
25+ 51.61 грн
100+ 45.53 грн
250+ 34.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
218+56.29 грн
221+ 55.57 грн
241+ 50.85 грн
Мінімальне замовлення: 218
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
213+57.69 грн
223+ 55.04 грн
249+ 49.13 грн
259+ 45.6 грн
500+ 42.04 грн
1000+ 37.56 грн
2000+ 35.99 грн
4000+ 35.38 грн
Мінімальне замовлення: 213
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFR4104TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+89.42 грн
17+ 51.43 грн
46+ 48.5 грн
1000+ 47.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+96.54 грн
10+ 85.46 грн
100+ 68.21 грн
500+ 53.12 грн
2000+ 41.65 грн
4000+ 41.37 грн
6000+ 41.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR4104_DataSheet_v01_01_EN-3363374.pdf MOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
на замовлення 3434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.05 грн
10+ 84.36 грн
100+ 58.48 грн
500+ 55.66 грн
1000+ 46.13 грн
2000+ 43.38 грн
4000+ 41.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6 Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 6613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.77 грн
10+ 81.78 грн
100+ 63.65 грн
500+ 50.63 грн
1000+ 41.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFR4104TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.3 грн
17+ 64.1 грн
46+ 58.19 грн
1000+ 56.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Виробник : Infineon Technologies 001018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній