IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 70.39 грн |
| 6000+ | 65.24 грн |
| 10000+ | 63.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRFR3710ZTRPBF за ціною від 47.03 грн до 169.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR3710ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFR3710ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1752 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFR3710ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.015 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFR3710ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.015 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFR3710ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFR3710ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 11822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFR3710ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg |
на замовлення 24266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFR3710ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRFR3710ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |