Продукція > INFINEON / IR > IRFR3709ZTRRPBF
IRFR3709ZTRRPBF

IRFR3709ZTRRPBF Infineon / IR


irfr3709zpbf-1732837.pdf Виробник: Infineon / IR
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC
на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3709ZTRRPBF Infineon / IR

Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRFR3709ZTRRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR3709ZTRRPBF IRFR3709ZTRRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr3709zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR3709ZTRRPBF IRFR3709ZTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631a47a20c5 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
товар відсутній
IRFR3709ZTRRPBF IRFR3709ZTRRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr3709zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: DPAK
товар відсутній