Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3707ZTRPBF
IRFR3707ZTRPBF

IRFR3707ZTRPBF Infineon Technologies

224479126545980irfr3707zpbf.pdffileid5546d462533600a40153563183ac20bb.pdffileid5.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
513+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 513
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3707ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFR3707ZTRPBF за ціною від 20.35 грн до 74.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3707zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563183ac20bb Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+24.35 грн
6000+ 22.22 грн
10000+ 20.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies 224479126545980irfr3707zpbf.pdffileid5546d462533600a40153563183ac20bb.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies 224479126545980irfr3707zpbf.pdffileid5546d462533600a40153563183ac20bb.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
357+34.35 грн
396+ 30.89 грн
411+ 29.76 грн
500+ 27.42 грн
1000+ 24.21 грн
2000+ 22.28 грн
4000+ 21.14 грн
8000+ 21.06 грн
16000+ 20.79 грн
Мінімальне замовлення: 357
IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS09603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+39.25 грн
500+ 29.32 грн
1000+ 20.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3707zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563183ac20bb Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 36741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.1 грн
10+ 53.49 грн
100+ 37.03 грн
500+ 29.03 грн
1000+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3707Z_DS_v01_02_EN-1732001.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.88 грн
10+ 55.65 грн
100+ 34.99 грн
500+ 28.78 грн
1000+ 25.25 грн
2000+ 22.43 грн
4000+ 21.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS09603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+74.86 грн
14+ 59.19 грн
100+ 39.25 грн
500+ 29.32 грн
1000+ 20.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFR3707ZTRPBF Виробник : UMW irfr3707zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563183ac20bb MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFR3707ZTRPBF
Код товару: 164053 		irfr3707zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563183ac20bb Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies 224479126545980irfr3707zpbf.pdffileid5546d462533600a40153563183ac20bb.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies 224479126545980irfr3707zpbf.pdffileid5546d462533600a40153563183ac20bb.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3707ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 56A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3707ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 56A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній