IRFR3607TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 30.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3607TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFR3607TRPBF за ціною від 43.83 грн до 123.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 11400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR3607TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
на замовлення 16603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg |
на замовлення 9245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFR3607TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |