IRFR3518PBF


irfr3518pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356313d4820a5
Код товару: 84591
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFR3518PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR3518PBF IRFR3518PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3518-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
IRFR3518PBF IRFR3518PBF Виробник : Infineon Technologies irfr3518pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356313d4820a5 Description: MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR3518PBF IRFR3518PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3518_DataSheet_v01_01_EN-1732674.pdf MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 29mOhms 37nC
товар відсутній