IRFR3504ZTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 40.46 грн |
| 6000+ | 37.11 грн |
| 10000+ | 35.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3504ZTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.00823 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00823ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFR3504ZTRPBF за ціною від 28.88 грн до 119.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.00823 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00823ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 14299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V |
на замовлення 13221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 77A 9mOhm 30nC Qg |
на замовлення 4176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.00823 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00823ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 14299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 77A Power dissipation: 90W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 77A Power dissipation: 90W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |