IRFR3411TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 21.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3411TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 130W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFR3411TRPBF за ціною від 32.23 грн до 134.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3411TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 130W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 11073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC |
на замовлення 3176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3411TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 130W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFR3411TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 130W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A Power dissipation: 130W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFR3411TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 130W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A Power dissipation: 130W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |