Технічний опис IRFR3410PBF
- MOSFET, N, 100V, 31A, D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:31A
- On State Resistance:0.039ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:DPAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D-PAK
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.4`C/W
- Max Voltage Vds:100V
- Power Dissipation:110W
- Power Dissipation Pd:110W
- Pulse Current Idm:125A
- SMD Marking:IRFR3410
- Transistor Case Style:D-PAK
Інші пропозиції IRFR3410PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR3410PBF | Виробник : IR - ASA only Supplier |
 Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
|
 |
IRFR3410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRFR3410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 39mOhms 37nC |
товар відсутній |