IRFR2607ZTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 33.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR2607ZTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-901|DPAK, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR2607ZTRPBF за ціною від 44.09 грн до 114.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR2607ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-901|DPAK Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR2607ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR2607ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR2607ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-901|DPAK Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V |
на замовлення 7251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR2607ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 5496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR2607ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR2607ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFR2607ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; 110W; DPAK Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel Case: DPAK Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Drain current: 45A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Drain-source voltage: 75V кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR2607ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; 110W; DPAK Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel Case: DPAK Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Drain current: 45A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Drain-source voltage: 75V |
товар відсутній |