![IRFR24N15DTRPBF IRFR24N15DTRPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/31/885181/smn_/manual/dpak.jpg_472149771.jpg)
IRFR24N15DTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 24.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR24N15DTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR24N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFR24N15DTRPBF за ціною від 35.75 грн до 105.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFR24N15DTRPBF Код товару: 125821 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 24A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 24A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |