Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR2405TRPBF
IRFR2405TRPBF

IRFR2405TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR2405TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.0118 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm.

Інші пропозиції IRFR2405TRPBF за ціною від 19.05 грн до 117.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+36.75 грн
4000+ 30.77 грн
6000+ 30.46 грн
10000+ 19.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+39.01 грн
6000+ 38.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+39.39 грн
4000+ 32.98 грн
6000+ 32.66 грн
10000+ 20.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+41.8 грн
6000+ 38.34 грн
10000+ 36.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.0118 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.45 грн
500+ 51.18 грн
1000+ 41.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
147+82.27 грн
158+ 76.53 грн
188+ 64.44 грн
200+ 58.75 грн
500+ 54.21 грн
1000+ 47.04 грн
2000+ 44.36 грн
4000+ 43.33 грн
8000+ 43.24 грн
Мінімальне замовлення: 147
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
134+90.79 грн
135+ 89.86 грн
167+ 72.66 грн
250+ 69.37 грн
500+ 38.13 грн
Мінімальне замовлення: 134
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
на замовлення 62899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.02 грн
10+ 79.64 грн
100+ 61.93 грн
500+ 49.26 грн
1000+ 40.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+104.21 грн
10+ 84.31 грн
25+ 83.44 грн
100+ 65.06 грн
250+ 59.64 грн
500+ 33.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR2405_DataSheet_v01_01_EN-3363237.pdf MOSFET 55V N-CH HEXFET 16mOhms 70nC
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+107.32 грн
10+ 85.76 грн
100+ 59.24 грн
500+ 49.13 грн
1000+ 38.05 грн
2000+ 36.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.0118 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+117.27 грн
10+ 88.34 грн
100+ 66.45 грн
500+ 51.18 грн
1000+ 41.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній