Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR2405TRLPBF
IRFR2405TRLPBF

IRFR2405TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR2405TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.0118 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRFR2405TRLPBF за ціною від 33.29 грн до 101.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+40.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : INFINEON 682150.pdf Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.0118 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+43.84 грн
500+ 36.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+43.9 грн
6000+ 43.74 грн
9000+ 43.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+43.9 грн
6000+ 43.74 грн
9000+ 43.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+52.62 грн
13+ 48.5 грн
25+ 46.95 грн
100+ 33.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : INFINEON 682150.pdf Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.0118 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+71.53 грн
14+ 57.21 грн
100+ 43.84 грн
500+ 36.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR2405_DataSheet_v01_01_EN-3363237.pdf MOSFETs MOSFT 55V 56A 16mOhm 70nC
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.58 грн
10+ 62.62 грн
100+ 44.65 грн
500+ 40.56 грн
1000+ 36.33 грн
3000+ 35.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.48 грн
10+ 79.8 грн
100+ 62.05 грн
500+ 49.36 грн
1000+ 40.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній