Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFR210TRPBF-BE3
IRFR210TRPBF-BE3

IRFR210TRPBF-BE3 Vishay Siliconix

sihfr210.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR210TRPBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR210TRPBF-BE3 за ціною від 31.24 грн до 80.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR210TRPBF-BE3 IRFR210TRPBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihfr210.pdf MOSFETs N-CHANNEL 200V
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.05 грн
10+ 60.61 грн
100+ 41.08 грн
500+ 34.73 грн
1000+ 31.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR210TRPBF-BE3 IRFR210TRPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 7885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.23 грн
10+ 63.37 грн
100+ 49.3 грн
500+ 39.21 грн
1000+ 31.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR210TRPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A
товар відсутній