Технічний опис IRFR13N15DTRPBF Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK, Case: DPAK, Mounting: SMD, Kind of package: reel, Power dissipation: 86W, Polarisation: unipolar, Technology: HEXFET®, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 14A, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції IRFR13N15DTRPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR13N15DTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 86W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 150V Drain current: 14A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IRFR13N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRFR13N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRFR13N15DTRPBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRFR13N15DTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 86W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 150V Drain current: 14A Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |