Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR120ZTRPBF
IRFR120ZTRPBF

IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 6000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.15 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFR120ZTRPBF за ціною від 15.38 грн до 85.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2f422050 Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+18.21 грн
6000+ 16.61 грн
10000+ 15.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
381+31.77 грн
403+ 30.06 грн
404+ 29.93 грн
500+ 28.18 грн
1000+ 22.8 грн
Мінімальне замовлення: 381
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+32.79 грн
20+ 30.18 грн
25+ 29.5 грн
100+ 26.91 грн
250+ 24.81 грн
500+ 23.26 грн
1000+ 20.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 6000
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 6000
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.15 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+46.05 грн
500+ 38.91 грн
1000+ 31.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2f422050 Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 54722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.49 грн
10+ 40 грн
100+ 27.69 грн
500+ 21.71 грн
1000+ 18.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
206+58.67 грн
250+ 56.32 грн
500+ 54.29 грн
1000+ 50.64 грн
2500+ 45.5 грн
5000+ 42.51 грн
Мінімальне замовлення: 206
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.15 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+59.26 грн
50+ 52.69 грн
100+ 46.05 грн
500+ 38.91 грн
1000+ 31.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR120Z_DataSheet_v01_01_EN-3363217.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC
на замовлення 11006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.06 грн
10+ 55.62 грн
100+ 40.91 грн
500+ 37.22 грн
1000+ 33.8 грн
2000+ 30.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
142+85.19 грн
213+ 56.79 грн
229+ 52.87 грн
230+ 50.88 грн
500+ 42.8 грн
1000+ 38.84 грн
2000+ 38.58 грн
Мінімальне замовлення: 142
IRFR120ZTRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irfr120zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2f422050 MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
на замовлення 351 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr120zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr120zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній