Продукція > VISHAY / SILICONIX > IRFR120TRRPBF-BE3
IRFR120TRRPBF-BE3

IRFR120TRRPBF-BE3 Vishay / Siliconix

sihfr120.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 100V 7.7A N-CH MOSFET
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.22 грн
10+ 80.42 грн
100+ 54.12 грн
500+ 45.9 грн
1000+ 37.39 грн
3000+ 37.32 грн
6000+ 35.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120TRRPBF-BE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR120TRRPBF-BE3 за ціною від 42.55 грн до 107.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR120TRRPBF-BE3 IRFR120TRRPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.2 грн
10+ 84.42 грн
100+ 65.66 грн
500+ 52.23 грн
1000+ 42.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR120TRRPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfr120.pdf N Channel MOSFET
товар відсутній
IRFR120TRRPBF-BE3 IRFR120TRRPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товар відсутній