Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR120NTRPBF
IRFR120NTRPBF

IRFR120NTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFR120NTRPBF за ціною від 11.93 грн до 79.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+22.79 грн
4000+ 22.73 грн
10000+ 18.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+24.33 грн
4000+ 24.26 грн
10000+ 19.7 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+27.79 грн
6000+ 25.49 грн
10000+ 24.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+28.18 грн
4000+ 27.9 грн
10000+ 23.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+29.04 грн
4000+ 27.56 грн
10000+ 26.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+45.34 грн
500+ 34.63 грн
1000+ 28.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+56.14 грн
12+ 52.32 грн
25+ 51.41 грн
100+ 40.91 грн
250+ 37.57 грн
500+ 22.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
214+56.34 грн
218+ 55.36 грн
264+ 45.69 грн
267+ 43.7 грн
500+ 25.41 грн
Мінімальне замовлення: 214
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 23441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.91 грн
10+ 52.93 грн
100+ 41.18 грн
500+ 32.75 грн
1000+ 26.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363096.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC
на замовлення 27197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.37 грн
10+ 57.79 грн
100+ 39.64 грн
500+ 31.98 грн
1000+ 27.34 грн
2000+ 25.51 грн
4000+ 24.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
174+69.51 грн
190+ 63.59 грн
230+ 52.54 грн
231+ 50.47 грн
500+ 29.15 грн
1000+ 26.44 грн
2000+ 21.18 грн
Мінімальне замовлення: 174
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+79.63 грн
13+ 63.16 грн
100+ 45.34 грн
500+ 34.63 грн
1000+ 28.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFR120NTRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5,6 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @; D-PAK
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+32.84 грн
100+ 11.93 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній