Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR120NTRLPBF
IRFR120NTRLPBF

IRFR120NTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+26.36 грн
6000+ 25.24 грн
9000+ 24.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120NTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRFR120NTRLPBF за ціною від 20.66 грн до 97.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+28.14 грн
6000+ 26.94 грн
9000+ 25.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
204+59.37 грн
209+ 57.84 грн
245+ 49.25 грн
250+ 47.02 грн
500+ 23.18 грн
Мінімальне замовлення: 204
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+63.32 грн
11+ 55.13 грн
25+ 53.7 грн
100+ 44.1 грн
250+ 40.43 грн
500+ 20.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363096.pdf MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
на замовлення 15694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.9 грн
10+ 56.66 грн
100+ 41.89 грн
500+ 38.31 грн
1000+ 31.21 грн
3000+ 23.9 грн
6000+ 22.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
163+74.13 грн
256+ 47.21 грн
299+ 40.38 грн
315+ 36.91 грн
500+ 32.02 грн
1000+ 28.85 грн
2000+ 27.21 грн
Мінімальне замовлення: 163
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+81.21 грн
500+ 73.95 грн
1500+ 66.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+97.77 грн
50+ 89.88 грн
100+ 81.21 грн
500+ 73.95 грн
1500+ 66.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній