Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR1018ETRPBF
IRFR1018ETRPBF

IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFR1018ETRPBF за ціною від 36.1 грн до 121.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+43.4 грн
4000+ 42.26 грн
10000+ 38.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d092f2042 Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+46.11 грн
6000+ 42.29 грн
10000+ 40.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+75.06 грн
500+ 57.69 грн
1000+ 43.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
142+85.03 грн
149+ 81.23 грн
250+ 77.97 грн
500+ 72.47 грн
1000+ 64.91 грн
2500+ 60.48 грн
5000+ 58.85 грн
Мінімальне замовлення: 142
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
138+87.9 грн
151+ 80.06 грн
186+ 65.09 грн
200+ 58.7 грн
500+ 54.17 грн
1000+ 46.24 грн
5000+ 41.93 грн
12000+ 40.47 грн
Мінімальне замовлення: 138
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
130+93.11 грн
132+ 91.49 грн
162+ 74.75 грн
250+ 71.4 грн
500+ 55.2 грн
1000+ 39.27 грн
3000+ 38.88 грн
Мінімальне замовлення: 130
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+97.77 грн
50+ 86.73 грн
100+ 75.06 грн
500+ 57.69 грн
1000+ 43.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+104.71 грн
10+ 86.45 грн
25+ 84.95 грн
100+ 66.93 грн
250+ 61.39 грн
500+ 49.21 грн
1000+ 36.46 грн
3000+ 36.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d092f2042 Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 17842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111 грн
10+ 87.86 грн
100+ 68.32 грн
500+ 54.34 грн
1000+ 44.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR1018E_DataSheet_v01_01_EN-3363298.pdf MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 24325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.36 грн
10+ 95.38 грн
100+ 66.7 грн
500+ 55.17 грн
1000+ 43.79 грн
2000+ 41.89 грн
4000+ 40.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr1018epbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr1018epbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
товар відсутній