![IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/31/885181/smn_/manual/dpak.jpg_472149771.jpg)
IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 30.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFR1018ETRPBF за ціною від 36.1 грн до 121.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR1018ETRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFR1018ETRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFR1018ETRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFR1018ETRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFR1018ETRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFR1018ETRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFR1018ETRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFR1018ETRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFR1018ETRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFR1018ETRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
на замовлення 17842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFR1018ETRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFR1018ETRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR1018ETRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR1018ETRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR1018ETRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |