Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR024NTRLPBF
IRFR024NTRLPBF

IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFR024NTRLPBF за ціною від 22.01 грн до 61.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+26.45 грн
6000+ 25.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+28.48 грн
6000+ 27.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+39.41 грн
500+ 26.45 грн
1500+ 23.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+52.78 грн
50+ 46.13 грн
100+ 39.41 грн
500+ 26.45 грн
1500+ 23.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR024N_DataSheet_v01_01_EN-3363274.pdf MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.88 грн
10+ 42.67 грн
100+ 31.88 грн
500+ 29.2 грн
1000+ 24.83 грн
3000+ 22.57 грн
6000+ 22.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.04 грн
10+ 48.2 грн
100+ 37.5 грн
500+ 29.83 грн
1000+ 24.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній