![IRFPS37N50A IRFPS37N50A](/img/image_datasheet_247.jpg)
IRFPS37N50A
Код товару: 25171
Виробник: IRКорпус: Super-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5579/180
Монтаж: THT
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPS37N50A IR
- MOSFET, N SUPER 247
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:36A
- On State Resistance:0.13ohm
- Case Style:Super-247
- Device Marking:IRFPS37N50A
- Max Voltage Vds:500V
- Power Dissipation:446W
- Power Dissipation Pd:446W
- Pulse Current Idm:144A
- Transistor Case Style:Super-247
Інші пропозиції IRFPS37N50A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFPS37N50A | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
|
IRFPS37N50A | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247 Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5579 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
IRFPS37N50A | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFPS37N50APBF |
товар відсутній |