на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 99.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPC50PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFPC50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRFPC50PBF за ціною від 110.34 грн до 344.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFPC50PBF | Виробник : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFPC50PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 331 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFPC50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFPC50PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 600V N-CH HEXFET |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFPC50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFPC50PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFPC50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFPC50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFPC50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRFPC50PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
товар відсутній |