IRFP4868PBF (TO-247AC, Infineon)

IRFP4868PBF (TO-247AC, Infineon)


irfp4868pbf.pdf
Код товару: 56397
Виробник: Infineon
Uds,V: 300 V
Idd,A: 70 A
Rds(on), Ohm: 25,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10774/180
Монтаж: THT
у наявності 29 шт:

16 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+390 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFP4868PBF (TO-247AC, Infineon) за ціною від 251.62 грн до 671.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFP4868PBF IRFP4868PBF Виробник : Infineon Technologies irfp4868pbf.pdffileid5546d462533600a40153562c9c822023.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+306.37 грн
Мінімальне замовлення: 40
IRFP4868PBF IRFP4868PBF Виробник : Infineon Technologies irfp4868pbf.pdffileid5546d462533600a40153562c9c822023.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+342.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4868PBF IRFP4868PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFP4868_DS_v01_02_EN-3363063.pdf MOSFET 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+496.92 грн
10+ 473.66 грн
25+ 337.37 грн
100+ 328.94 грн
250+ 328.23 грн
400+ 262.87 грн
1200+ 251.62 грн
IRFP4868PBF IRFP4868PBF Виробник : Infineon Technologies irfp4868pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c9c822023 Description: MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+502.56 грн
25+ 386.13 грн
100+ 345.48 грн
500+ 286.07 грн
1000+ 257.47 грн
IRFP4868PBF IRFP4868PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003614922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP4868PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 70 A, 0.0255 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+532.21 грн
5+ 459.67 грн
10+ 387.13 грн
50+ 349.96 грн
100+ 314.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4868PBF IRFP4868PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFP4868PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+559.81 грн
3+ 397.55 грн
6+ 375.59 грн
IRFP4868PBF IRFP4868PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFP4868PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+671.77 грн
3+ 495.41 грн
6+ 450.71 грн
IRFP4868PBF IRFP4868PBF Виробник : Infineon Technologies irfp4868pbf.pdffileid5546d462533600a40153562c9c822023.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFP4868PBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS irfp4868pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c9c822023 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFP4868PBF - IRFP4868 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
68+340.62 грн
Мінімальне замовлення: 68
IRFP4868PBF IRFP4868PBF Виробник : Infineon Technologies irfp4868pbf.pdffileid5546d462533600a40153562c9c822023.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP4868PBF IRFP4868PBF Виробник : Infineon Technologies irfp4868pbf.pdffileid5546d462533600a40153562c9c822023.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

STGW30NC60WD (TO-247, STM)
Код товару: 19151
datasheet_stgw30nc60wd.pdf
STGW30NC60WD (TO-247, STM)
Виробник: ST
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vce: 600 V
Ic 100: 30 A
у наявності: 10 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна без ПДВ
1+122 грн
BC817-40 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 17873
BC817-40.pdf
BC817-40 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
у наявності: 13709 шт
11613 шт - склад
208 шт - РАДІОМАГ-Київ
1076 шт - РАДІОМАГ-Львів
218 шт - РАДІОМАГ-Харків
593 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 600 шт
600 шт - очікується
Кількість Ціна без ПДВ
14+1.5 грн
23+ 0.9 грн
100+ 0.8 грн
1000+ 0.6 грн
Мінімальне замовлення: 14
2,2nF 3kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3F222Z-L016BD8.5-Hitano)
Код товару: 16343
HI_Voltage_070726.pdf
2,2nF 3kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3F222Z-L016BD8.5-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 2,2 nF
Номін.напруга: 3k V
ТКЕ: Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=8,5 mm
Part Number: KF3F222Z-L016BD8.5
у наявності: 1977 шт
1696 шт - склад
86 шт - РАДІОМАГ-Київ
97 шт - РАДІОМАГ-Львів
98 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
5+4 грн
10+ 3.6 грн
100+ 3.2 грн
1000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
BC807-40
Код товару: 3638
BC807_.pdf
BC807-40
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 80 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 600
очікується: 1200 шт
1200 шт - очікується
Кількість Ціна без ПДВ
14+1.5 грн
23+ 0.9 грн
100+ 0.7 грн
1000+ 0.5 грн
Мінімальне замовлення: 14
BC857C
Код товару: 2027
BC856,857.pdf
BC857C
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 800
у наявності: 1268 шт
900 шт - склад
176 шт - РАДІОМАГ-Київ
190 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна без ПДВ
14+1.5 грн
20+ 1 грн
100+ 0.8 грн
1000+ 0.5 грн
Мінімальне замовлення: 14