IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 547.1 грн |
| 25+ | 420.56 грн |
| 100+ | 376.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFP4768PBFXKMA1 за ціною від 238.66 грн до 711.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IRFP4768PBFXKMA1 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IRFP4768PBFXKMA1 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IRFP4768PBFXKMA1 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IRFP4768PBFXKMA1 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
товар відсутній |