![IRFP4668PBF IRFP4668PBF](/img/to-247.jpg)
IRFP4668PBF
![irfp4668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 32680
Виробник: IRUds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
Монтаж: THT
у наявності 89 шт:
74 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 295 грн |
10+ | 279 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP4668PBF за ціною від 225.06 грн до 697.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V |
на замовлення 11484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
10uF 25V size-B 10% (TAJB106K025RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD) Код товару: 39635 |
![]() |
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
у наявності: 3179 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 10 грн |
10+ | 9 грн |
100+ | 8.1 грн |
NX2501-03PFS Код товару: 72340 |
Виробник: JOINT TECH
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Вилка; провід-плата; "Мама"; 2,5мм; PIN: 3; без контактів; 250В; 3А
Вилка/гніздо: Вилка (штекер)
К-сть контактів: 3
Крок контактів: 2,5 mm
Монтаж: на провід
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Вилка; провід-плата; "Мама"; 2,5мм; PIN: 3; без контактів; 250В; 3А
Вилка/гніздо: Вилка (штекер)
К-сть контактів: 3
Крок контактів: 2,5 mm
Монтаж: на провід
у наявності: 6966 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 1.5 грн |
63+ | 0.8 грн |
112+ | 0.45 грн |
1000+ | 0.35 грн |
5,1 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-5R1-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1267 |
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 5,1 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 5,1 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 55909 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.07 грн |
300pF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B301K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 2207 |
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 300 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 300 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 1480 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
80+ | 0.7 грн |
100+ | 0.5 грн |
1000+ | 0.4 грн |
LL4148 Код товару: 2413 |
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 39477 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 1 грн |
100+ | 0.5 грн |
125+ | 0.4 грн |
1000+ | 0.3 грн |
10000+ | 0.2 грн |