IRFP460BPBF VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 62A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 62A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 214.21 грн |
| 7+ | 136.48 грн |
| 18+ | 129.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP460BPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFP460BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRFP460BPBF за ціною від 108.02 грн до 271.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP460BPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3094 pF @ 100 V |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP460BPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS |
на замовлення 3528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP460BPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 62A; 278W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Pulsed drain current: 62A Power dissipation: 278W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 375 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP460BPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP460BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP460BPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFP460BPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |